中山大學(xué)推出首例矽基DFB激光器陣列

日期：2018-08-04 點擊：1642

    近年(nián)來在光通信、光互連巨大需求的(de)推動下，矽基光電子(zǐ)集成技術蓬勃發展。但由于矽是間接帶隙半導體，發光效率不高(gāo)，矽基光源這一(yī)核心器件成為(wèi)制約其發展的(de)瓶頸，特别是符合超高(gāo)速光通信和(hé)波分複用要求的(de)單色性好、波長(cháng)精确可(kě)控的(de)矽基激光器一(yī)直沒有實現。将發光特性優良的(de)III－V族化合物半導體材料直接外延生長(cháng)到晶格不匹配的(de)矽襯底上，并制作高(gāo)性能矽基半導體激光器一(yī)直被視(shì)為(wèi)實現大規模、低(dī)成本、高(gāo)性能矽基光源和(hé)光電集成芯片的(de)關鍵核心技術途徑。
    近日，中山大學(xué)光電材料與技術國(guó)家重點實驗室餘思遠教授團隊與英國(guó)倫敦大學(xué)學(xué)院（UCL）劉會赟教授團隊合作，成功實現了國(guó)際首例矽基外延生長(cháng)電抽運室溫連續工作分布反饋式（DFB）激光器陣列芯片。
    餘思遠團隊依托其近年(nián)建設的(de)先進光電子(zǐ)集成工藝平台，采用劉會赟團隊的(de)先進矽基外延量子(zǐ)點增益材料，成功制備了矽基直接外延生長(cháng)的(de)集成多波長(cháng)分布反饋（DFB）激光器陣列芯片。
    該芯片将是未來光通信技術的(de)核心芯片，這項研究将我國(guó)的(de)核心光電子(zǐ)集成芯片技術推向國(guó)際頂尖水平，對于在激烈的(de)國(guó)際高(gāo)技術競争背景下打破國(guó)際壟斷，占領未來技術高(gāo)地(dì)，提升我國(guó)自(zì)主研發能力，具有重要意義。